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高温动态反偏老化测试系统(DHTRB2000)

该系统针对SiC MOSFET进行动态反偏老化测试，测试方法参考AQG324。每个试验区域可进行最高12个工位的测试，工位具备独立脉冲源配置。可为器件提供+10°C-175°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离老化试验回路，不影响其他器件的正常试验。

功能
  • nA级漏电流测试
  • 可根据不同器件封装、功率等要求，定制专用老化测试板
  • 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性

试验温度

室温+10°C~175°C (热板形式加热）

老化测试区

8区(可扩容)

单区工位

12 (典型)

试验方法

主动式：Vgs = Vgs off被动式：Vgs，off = VGS，min and VGS，on = VGS，max

电压范围

50V~1500V

电压精度

1.脉冲频率(方波):5KHZ~200kHz;精度:2%±2LSB

2.方波占空比20%~80%;精度:±2%
3.电压上升率(Dv/Dt) ≥50V/ns
4.电压过冲<15%

脉冲控制

1.脉冲频率(方波):5kHz~200kHz;精度:2%±2LSB

2.方波占空比20%~80%;精度:±2%

3.电压上升率 (Dv/Dt) ≥50V/ns

4.电压过冲<15%

VGS电压测控范围-0.7V~-22V/0V

漏电流检测 

检测范围:100nA~30mA

精度:

第一档0.1uA~1mA 分辨率0.1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB

第二档1mA~30mA 分辨率1uA 漏电流测量误差:1%±2LSB

整机供电

三相AC380V±38V

整机重量 

700KG(典型)

整机尺寸(典型) 

800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

适用标准

AEC-Q102 AOG324

适用器件

适用于二极管、三极管、MOSFET管、达林顿管、可控硅等，SIC、GAN、SCR等

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