点击咨询产品高温反偏老化测试系统(HTRB2000)
该系统可进行室温＋10℃~200℃ 的高温反偏老化测试，老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。
功能
- nA级别的漏电流检测精度
- 整机30s的全工位数据刷新
- 独特高压抑制电路，器件瞬间击穿不影响其他工位老化进程
- 可定制工位老化电压独立控制功能，实现单工位老化超限剔除
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温区 | 1个 |
试验温度 | 室温+10~200℃ |
老化试验区 | 16区(16/32/40/48区可选) |
单区工位数 | 80(典型) |
老化电压范围 | 0~±2000V |
电压检测精度 | ±(1%+2LSB) |
电流检测范围 | 10nA~50mA |
电流检测精度 | ±(1%+10nA) |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 8KW(典型) |
整机重量 | 680KG(典型) |
整机尺寸 | 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) |
适用标准
GJB128 MIL-STD-750D AQG324
适用器件
适用于MOS管、二极管、三极管、IGBT模块、PIM模块、可控硅等