点击咨询产品高温动态栅偏老化测试系统(DHTGB2010)
该系统针对第三代SiC MOSFET具有动态栅偏老化测试能力，每块试验区可独立老化测试12工位，独立12路可配置脉冲，测试栅极漏电流相互之间不干扰。可为器件提供室温+10°C~200°C的试验温度。具有试验器件短路脱离试验功能，可自动将故障器件脱离老化试验回路，不影响其他器件的正常试验。
功能
- 高速dv/dt>1V/ns
- nA级漏电流测试
- 阅值电压测试
- 可根据不同器件封装、功率等要求，定制专用老化测试板
- 充分的实验员人体安全考虑设定
产品特性
试验温度 | 室温+10℃~200℃（热板形式加热） |
老化测试区 | 8区(可扩容) |
单区工位 | 12（典型） |
试验方法 | VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max |
VGS电压控制检测 | 试验控制范围:±35V 检测误差:±1%±2LSB:电压分辨率:0.01V |
脉冲控制 | 1.脉冲频率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB 2.方波占空比5%~95%; 精度:±2% 3.动态DGS试验时,栅极电压斜率可达dv/dt>1V/ns(Ciss＜5nF) 4.电压过冲<10% (测试电压幅度大于25V) |
阀值电压VGSTH | 1.VGS电压测控范围:1~10V 2.分辨率为0.01V,精度:1%±0.01V |
IGS漏电流检测 | 检测范围:1nA-99.9uA 第一档1nA -99nA 分辨率1nA 漏电流测量误差:1%±2LSB 第二档100nA -999nA 分辨率10nA 漏电流测量误差:1%±2LSB 第三档1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏电流测量误差:1%±2LSB |
整机供电 | 三相AC380V±38V |
整机重量 | 700KG |
整机尺寸 | 800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H) |
适用标准
AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101
适用器件
可对半导体分立器件(SiC MOSFET单管及模块)进行高温动态栅偏试验